מספר מוצר של יצרן:
BSP89 E6327
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSP89 E6327-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
תיאור מפורט:
N-Channel 240 V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
מלאי:
12798893
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSP89 E6327 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
SIPMOS®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
240 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
350mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.8V @ 108µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6.4 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
140 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.8W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-SOT223-4
חבילה / מארז
TO-261-4, TO-261AA
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
BSP89E6327T
BSP89 E6327-DG
BSP89E6327
SP000011160
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
ZVN4525GTA
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
10504
DiGi מספר חלק
ZVN4525GTA-DG
מחיר ליחידה
0.28
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
BSP89,115
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
11918
DiGi מספר חלק
BSP89,115-DG
מחיר ליחידה
0.15
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
BSP89H6327XTSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
7995
DiGi מספר חלק
BSP89H6327XTSA1-DG
מחיר ליחידה
0.20
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AUIRLR024ZTRL
MOSFET N CH 55V 16A DPAK
BSC014N04LSIATMA1
MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
AUIRLR3410TR
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
